中科院苏州纳米所_纳米加工公共平台

纳米加工平台现已聚集了一批高精尖人才

张宝顺博士研究员

1991年毕业于长春理工大学（原长春光学精密机械学院）光学物理系；1994年获长春理工大学硕士学位；同年留校任职于高功率半导体激光国家重点实验室，主要从事半导体激光器工艺技术研究及半导体激光材料MBE 生长研究，1999年被评为长春理工大学副研究员。2003年6月获中国科学院半导体研究所材料物理与化学专业博士学位。2004年至2006年，在香港科技大学光电科技中心从事Si 衬底、蓝宝石衬底上LED 材料生长和器件工艺研究以及Si 衬底HEMT 材料生长研究。目前为中国科学院纳米技术与纳米仿生研究所研究员，主要研究方向为半导体材料生长和器件工艺研究。
主要科学贡献：主持过四项国家级科研项目，参与国家“863”、国家科技攻关等项目十余项，申请发明专利二项。参与国家级重点项目“半导体激光泵浦固体激光器”2000 年获国家科技进步三等奖。2003 年在Si 衬底上采用MOCVD 技术生长高质量GaN，实现XRD Rocking curve （0002）衍射峰半宽度为6 arcmin，（10-12）衍射峰半宽度为10 arcmin，并采用插入层技术实现1.8μm 无微裂生长，提出了富Al 条件生长AlN 插入层是弛豫应力的重要条件。2006 年采用高温插入层技术实现Si 衬底上生长LED未封装条件下输出功率大于0.7mW。

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朱建军博士研究员

1992年7月获大连理工大学应用物理系学士学位；1995年7月获北京师范大学物理系凝聚态物理专业硕士学位；1998年7月获中科院半导体研究所半导体材料与物理专业博士学位；1998年8月至2011年1月，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作。2011年1月，加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台。

科研经历：参与研制国内首台能同时生长3C-SiC和厚膜GaN材料的高温CVD/HVPE复合淀积系统。在其基础上完成了自然科学基金项目“蓝色发光二极管用SiC 材料生长的基础研究”。承担中国科学院应用研究与发展重点项目“GaN/SiC/Si 异质外延材料的生长与研究”以及863 项目“高亮度蓝光、绿光LED 的产品开发和规模化生产关键技术的研究”中“氮化物立方GaN 蓝、绿光发光器件研制与产品开发”子课题，并顺利完成。参与和承担“氮化镓激光器”、“氮化镓紫外探测器”“GaN/Si基材料生长与研究”等多项863 项目的研究，主要从事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱的生长与分析。把质量管理中常用的试验设计方法引入到GaN基材料与器件结构的外延生长，成功制备了GaN 基激光器结构外延片；在此基础上中科院半导体所实现了中国大陆第一只GaN基脉冲激射和室温连续工作激光器的成功研制。承担863项目“高效大功率半导体灯用近紫外LED生产技术研究”，顺利完成。承担自然科学基金项目“AlInN 材料的MOCVD 生长与应用研究”（批准号 60576003，2006,1-2008,12），顺利完成，最终评定结果为优承担中科院重大科研装备研制项目“III族氮化物生长用原子层化学气相淀积系统”，设计并研制成功了兼具原子层外延和MOCVD外延优点的外延生长系统，尤其适合于生长高Al组份的三族氮化物，顺利通过中科院专家组的验收。参与创建苏州纳维科技有限公司，主要负责HVPE设备的设计、研制以及HVPE生长工艺的开发。主持设计了水平和垂直两种HVPE生长设备，成功用于GaN自支撑衬底的生长。

研究方向：未来五年拟开展的工作主要是生产型金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统及相关配套设备的研制与生产。该种设备主要针对III族氮化物基光电子、微电子器件结构材料的外延生长进行结构设计。同时，结合先进的在位监测手段，集成多种工艺和技术，致力于提高设备的生产能力，降低设备生产成本和使用成本，提高原材料的利用率，减少对环境的污染。该设备的工程化研究具体内容主要包括：（1）反应室的结构设计、模拟、仿真及虚拟制造技术；（2）高控制精度、低响应时间的MOCVD系统气路设计和加工技术；（3）系统的自动化、智能化控制技术和人机操作系统、数据记录与挖掘系统的设计与开发；（4）绿色尾气处理系统和气体循环利用系统的研制；（5）能提供闭环控制能力的在位监测系统的的设计与制造；（6）MOCVD外延生长工艺开发、材料生长的热力学、动力学过程的理论与实验研究、模拟与仿真，同时开展材料生长的计算机实验技术研究。（7）MOCVD装备的稳定性、重复性、可靠性测试分析技术与保障系统的研究；（8）功能拓展能力强的开放式MOCVD架构研究等。通过五年的研究，预期形成满足LED以及功率电子器件等量产需求的MOCVD设备研制和生产能力。

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张泽洪 博士研究员

1999年清华大学本科毕业，2002年中国科学院半导体所硕士毕业，2005年美国University of South Carolina大学博士毕业，并从事博士后工作。2006年任职美国硅谷应用材料公司Applied Material, Inc，任资深关键客户技术师。 2011年，加入中科院苏州纳米所，受聘为研究员、博士生导师。

美国University of South Carolina宽带隙半导体组是世界顶尖的研究SiC和GaN材料和器件的实验室。该实验室的SiC研究曾经得到经费支持累计约1800万美元。在该组攻读博士和博士后期间，主要从事SiC外延CVD设备的研制，工艺开发，位错分析及器件测试。在期刊和国际会议文集上发表第一作者论文十余篇，其中4篇发表在Appl. Phys. Lett.上。

应用材料公司是全球最大的半导体设备和太阳能设备提供商。在应用材料任职期间，曽为多名关键客户，包括德国原AMD, 新加坡特许半导体，IBM, 台湾南亚，华亚，华邦，力晶、瑞晶，奇梦达，美光，台积电等提供大规模集成电路制造用设备和工艺技术。曾经负责过的设备产品包括MOCVD, CVD, PVD, ALD, PEALD, Preclean等。

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蔡勇博士研究员

1993年于东南大学电子工程系毕业，获得半导体物理与器件专业学士学位。同年加入南京电子器件研究所五中心，从事硅双极型微波功率晶体管研究工作。1998年考入北京大学微电子所硕士研究生，2000年转为博士研究生，于2003年获得微电子学与固体电子学专业博士学位。2003年至2006年在香港科技大学电子电机系做博士后，致力于III族氮化物器件与集成电路研究。2006年至2008年在香港应用科技研究院有限公司LED器件组任研发经理，带领研究小组进行大功率、高亮度GaN LED器件的研究与开发。2008年12月进入中科院苏州纳米所，研究员（项目）。
主要科研成果：率先发现了氟离子对AlGaN/GaN异质结二维电子气的调制现象，并提出了物理解释；基于这一新发现，成功地开发出在芯片加工过程中调整AlGaN/GaN HEMTs 阈值电压的氟等离子处理新技术，并成功地研制出阈值电压达0.9V的高性能增强型AlGaN/GaN HEMTs。开发出GaN基单片集成新技术，利用该技术成功地研制出可在375 ℃ 高温下正常工作的GaN基DCFL电路。发明了利用化学机械研磨(CMP)实现垂直结构大功率GaN LED的新技术，该技术具有自主知识产权，已受到LED业界数家知名公司的高度关注和积极参与。在国内外专业期刊及会议发表学术论文三十余篇，申请美国专利六项,其中两项处于公告期，申请中国专利两项。

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张永红硕士研究员级高级工程师

1989年在长春光学精密机械学院获精密机械制造工艺与设备专业学士学位，1994年在长春光学精密机械学院获机械专业硕士学位，研究方向为光电检测。1994年4月至2000年在中国科学院沈阳科学仪器研制中心工作，1998年10月任该中心科技处副处长（主管工作），2000年任该中心医疗器械课题组组长。2001年至2007年10月，在沈阳科友真空技术研究所工作，负责项目的总体设计与市场开发，重点为“OLED多源真空镀膜设备”的研制和产业化。2007年10月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所，高级工程师。

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王荣新博士教授级高级工程师

王荣新博士教授级高工 1984年7月毕业于河北工业大学自动化工程系获学士学位；2001年8月于香港科技大学电气与电子工程系获硕士学位；2005年6月于香港大学物理系获博士学位；2005年1月-10月香港大学物理系半导体物理研究室从事半导体器件制备和性能研究；2005年11月－2008年5月香港理工大学博士后；2008年6月加入苏州纳米所。
主要科学贡献：多年来从事有关微纳米加工工艺方面的研究，制备出世界上首只无需人工训练的钛镍合金薄膜微机械镊子；系统地研究了ITO薄膜的制备及其光学和电学性质，引起了国际同行的重视，应邀在一本新近出版的国际学术专著撰写一章有关ITO薄膜制备及其光电性质表征的综述，并将ITO薄膜运用到第三代半导体氮化镓上，制备出具有良好性能的肖特基结；巧妙地利用变频的电容-电压特性、正电子湮灭等手段研究了氮化镓中其深能级。在国际著名期刊(Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Micromech. Mciroeng. Nanotechnology等)上发表论文二十余篇, 其中第一作者九篇。

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曾中明博士研究员

2006年毕业于中国科学院物理研究所，获理学博士学位。2006－2012年先后在日本、美国等国的多个高等研究机构工作。长期从事自旋电子器件及纳米电子器件的研究工作。2012年加入中科院苏州纳米所，受聘为研究员、博士生导师。主要从事纳米电子器件及纳米加工工艺技术研究。已在Physical Review Letters（PRL）、Physical Review　B、Applied Physics Letters等国际权威学术期刊上发表文章30多篇，获中国授权专利6项和日本授权专利1项。现为PRL等10多家国际学术期刊的审稿人。

曾经获得多项奖励：(1) 2004年度中国材料学会优秀论文奖；（2）2005年度BHBP（澳大利亚）-GUCAS（中科院）奖学金；（3）2005度所长奖学金优秀奖；（4）入选2007年度中国科学院50篇优秀博士学位论文。

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陆敏 博士副研究员

1995 年毕业于南京大学物理系，获晶体物理专业的理学学士学位，同年进入总装防化研究院工作，主要研究和开发第二代热释光固体核探测器；2004 年在北京大学物理学院的凝聚态专业获理学博士学位，同年受聘为北京大学宽禁带半导体研究中心特约研究员，主要致力于氮化物的MOCVD外延研究；2006年12月受聘为纳米所副研究员，硕士生导师。

主要科学贡献：系统研究了蓝宝石衬底上获得低缺陷GaN材料的外延生长，并提出了多种有效的外延方法;发现在GaN中不同腐蚀方法对不同位错显示的选择性，完善了区分不同位错的腐蚀显示技术；在国内首次得到激光剥离自然解理腔镜面的GaN 基短波长激光器芯片，通过有源区的优化设计来促进量子局域化效应和抑制量子束缚Stark效应，从而获得了性能与韩国Epiplus公司产品相当的优越性能的蓝光LED外延片；研制肖特基型和PIN型两种结构GaN核辐射探测器为目标，深入研究GaN材料外延生长及其核辐射探测器制备中的物理问题，成功研制出光导型X-射线GaN探测器原型器件，信噪比接近200，比法国国家实验室的最新报道结果要高近一个量级左右，而且响应速度也比较快，并且提出一个多电子陷阱模型解释了时间响应特性；成功研制出α粒子GaN探测器原型器件，具有单一的高斯峰结构，具有较好的能谱测量特性；成功研制出β伏特效应GaN核电池原型器件，开路电压0.1V,转换效率0.32%。主持承担国家自然科学基金、江苏省自然科学基金和苏州市工业应用基础研究各一项，作为主要研究人员参与了多项国家科技部"863"、“973”、国际合作项目;近年来发表学术论文35篇，SCI收录10篇，EI收录15篇．申请国家发明专利8项，已授权3项。

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王敏锐博士副研究员

毕业于大连理工大学工学机械工程学院，获机械电子工程专业博士学位。攻读博士期间主要从事压电式微纳机电系统技术研究，是国家自然科学基金重点基金 “适用于SOC的声、热、力传感器系统”，国家自然科学基金项目“甲醛气体传感器研制及特性研究”的主要参与人。发表压电微传感器/执行器、半导体制程工艺方面论文8篇（SCI/EI收录5篇）。对半导体制程中的湿制程工艺、氧化扩散、光刻、溅射及刻蚀方面，压电薄膜制备及其微纳传感器/执行器设计准备方面具有超过5年的研究经验。目前主要从事大功率LED散热技术、压电微纳米光机电系统的研究。

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时文华 博士高级工程师

2007年毕业于中科院半导体所，获得工学博士学位。目前研发重点为硅基近红外探测器、红外成像、光子晶体等，成功制备出首个硅基RCE-HPT探测器。目前，发表各类论文SCI收录10篇，发明专利5项，主持各类项目（在研）3项。同时，任纳米加工平台工艺一部部长，负责相关工艺技术的研发。

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范亚明博士助理研究员

2009 年毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业工学博士学位。攻读博士学位期间从事宽禁带半导体材料与器件研究，2009年7月起就职于中科院苏州纳米所纳米器件部，2011年3月转入纳米加工平台。主要研究方向为氮化物半导体光电器件材料外延生长，目前主持国家自然科学基金一项（图形化有源区结构GaN基LED外延及相关物理问题研究），参与国家自然科学基金及江苏省科技支撑计划－工业部分项目基金各一项。主要负责加工平台MOCVD设备的修复、维护与外延生长。

联系电话：0512-62872520

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方运博士

博士，2004年毕业于哈尔滨工业大学自动化测试与控制系，获工学学士学位。同年保送到本校攻读博士学位，主要从事液晶光学相控阵激光束敏捷控制研究，于2010年获仪器科学与技术学科工学博士学位。2010年3月至今在中科院苏州纳米所纳米加工平台做博士后，主要从事GaN基LED器件开发，侧重利用光子晶体和图形化衬底等技术来提高LED器件的光提取效率。

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熊敏博士

博士，2010年毕业于哈尔滨工业大学。硕士期间主要从事GaAs基InSb异质薄膜的分子束外延生长，博士课题的主要方向为含有AlGaSb势垒层的InAs/GaSb超晶格材料的能带设计、分子束外延生长、中波势垒型单元红外探测器工艺以及GaSb表面动力学研究。

李海军 博士

2010年毕业于中科院苏州纳米所，获微电子学与固体物理学博士学位。主要研究方向为宽禁带半导体光探测器和微纳光学领域，对光电器件设计和性能模拟计算有一定的理解。目前作为科研骨干承担国家863计划、国家自然科学基金重大项目以及多项省市科技项目。

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董志华博士

1996年9月至2000年7月，在山东工业大学（现为山东大学千佛山校区）电子工程系微电子技术专业学习，获得工学学士学位。

2002年9月至2005年7月，在山东师范大学半导体研究所学习，研究方向为GaN薄膜及纳米线的制备与特性表征，获得工学硕士学位。发表2篇SCI索引文章。

2005年9月至2011年1月，在北京大学微电子研究院学习，研究方向为AlGaN/GaN MOSHEMT器件工艺及特性表征，获得理学博士学位。发表1篇SCI索引文章,2篇EI索引文章，授权专利1项。

2011年2月开始在中科院苏州纳米所做博士后研究，研究方向为GaN基电力电子器件。

联系电话:0512-69561869

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吴燕华博士

吴燕华，博士。2006年从中国科技大学精密仪器与精密机械专业毕业，学士学位；2011年获中国科技大学-香港城市大学联合培养博士学位，研究方向为激光微操作的自动化控制，期间在国际优秀杂志及学术会议发表论文多篇；2011年8月至今在中科院苏州纳米所纳米加工平台任博士后，主要从事MOCVD设备的机电开发及纳米信息平台建设

联系电话:0512-62872731

电子邮件:yhwu2011@sinano.ac.cn

黄宏娟硕士

微电子学与固体电子学专业，主要从事半导体器件封装工艺方面的研究。主要负责的设备有激光解理机、Disco划片机、loomis解理机、手动划片机、裂片机、探针台等封装测试类设备。

联系电话：0512-62872531

邮箱：Hjhuang2007@sinano.ac.cn

李晓伟硕士

2007年毕业于中国科学院安徽光机所光学专业。来纳米所加工平台工作后，主要从事半导体封装测试方面的研究，主要负责倒装焊、回流炉、引线机、超声扫描显微镜、X射线检测仪、拉力剪切力测试仪等设备。

联系电话：0512-62872517

邮箱：Xwli2007@sinano.ac.cn

邢政硕士

光学专业目前主要从事光学薄膜的设计与制备。负责的设备有光学镀膜机、PECVD、E-Beam蒸发台、Sputter、扩散/氧化炉和热蒸发台。

联系电话：0512-62872517

邮箱：zxing2008@sinao.ac.cn

曾春红 硕士

光学专业，主要的研究领域是光刻工艺的优化，主要负责的机器设备是分布投影式光刻机NIKON1755iB,接触式紫外光刻机SUSS MA/BA6，晶片键合机SUSS CB6L。

联系电话：0512-62872531

邮箱：Chzeng2007@sinano.ac.cn

王逸群硕士

微电子学与固体电子学专业
研究领域：超深亚微米器件的工艺集成和先进工艺研究
目前从事：半导体工艺技术研究,侧重光刻工艺（E-beam、Stepper、NIL）

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赵德胜硕士

光学工程专业，目前主要从事半导体器件工艺中镀膜方面的研究，包括金属膜、介质膜和光学膜。主要负责PECVD、Sputter、E－Beam金属膜、E－Beam光学膜和热蒸发台等镀膜设备的工艺研究，以及设备的性能开发和日常维护。

联系电话：0512-62872517

邮箱：Dszhao2007@sinano.ac.cn

张晓东硕士

光学专业，目前从事半导体工艺薄膜沉积方面的工作，主要负责E－Beam金属薄膜、Sputter、热蒸发台等镀膜设备的工艺研究，以及设备的性能开发和日常维护。

联系电话：0512-62872517

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付思齐 硕士

理学硕士微电子学与固体电子学专业目前主要从事刻蚀工艺（侧重MEMS工艺）方面的研究。主要负责设备有STS-HRM深硅刻蚀设备、IBE离子束刻蚀设备、RIE反应离子刻蚀设备。

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邮箱：sqfu 2008@sinano.ac.cn

杨凡硕士

分析化学专业, 主要从事平台日常管理。

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王劼硕士

王劼硕士控制理论与控制工程专业主要从事生产型金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备控制系统研究。

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侯克玉硕士

侯克玉，硕士，2011年毕业于山东大学物理系，凝聚态物理专业。同年进入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，于光刻组工作。主要负责EBL和MA6设备。

联系电话：0512-62872517

邮箱：kyhou2011@sinano.ac.cn

张凯平硕士
	光学专业，目前主要从事光刻工艺的优化和改进方面的工作，主要负责接触式紫外光刻机SUSS MA/BA6设备的工艺研究，以及新设备激光直写的工艺开发和日常维护等工作。

姜春宇硕士
	物理电子学专业，主要从事半导体器件封装工艺方面的研究。主要负责的设备有：晶片键合机SUSS CB6L、激光解理机、Disco划片机、loomis解理机、手动划片机、裂片机等封装测试设备。